晶片ic差别的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們查出實價登入價格、格局平面圖和買賣資訊

雙頻帶壓控振盪器的頻漂應力試驗 和間接的背柵耦合四相位壓控振盪器

為了解決晶片ic差别的問題，作者鄭三吉 這樣論述：

无线射频设计总的趋势是发展中国家，从single-band/mode multi-band/mode系统在几个频段，支持多种标准。电压控制振荡器（VCO）是一种重要的动力只在所有的RF收发器组件，并负责产生LO信号用于频率合成，但涵盖了所有这些标准的一个压控振荡器（VCO）是难以实施的。试图实现多标准的VCO一直专注上实施宽带VCO具有双波段和多波段拓扑。首先，该芯片提出了一种双谐振互补的Colpitts建议作为工作在4.3和11.7 GHz的双频段振荡器的电压控制振荡器（VCO）。该VCO包括两个单端双谐振LC罐互补的Colpitts振荡器共享一个共同的可变电抗器切换LC谐振器。建议的VC

O已经与台积电0.18微米1P6M CMOS技术实现核心功耗为3.60/3.96毫瓦在电源电压为1.2 V的VCO有图的优点-192.7/-189.4dBc/Hz在高/低乐队分别。的双频段压控振荡器，晶片面积是0.822×0.628平方毫米。第二，该芯片有两个子频带，提出了一种高性能的CMOS电压控制振荡器（VCO）。两对并联变容二极管用于切换高，低频段。奇模式作为模式切换的变容二极管，VCO工作在高频段和偶模式VCO工作在低频段。已建议的VCO TSMC的0.18μm1P6M CMOS技术实现，它可以产生5.21-6.66 GHz和3.26-3.84 GHz的频率范围内的差分信号，它也有低和

高频率的频带的高输出电压的波动在。的双频段压控振荡器，晶片面积是0.976×1.092平方毫米。 2小时，重大射频参数漂移，强调在VDD = 2.5V电路被发现。在电源电压0.75V，高（低）带图的优点（FOM）-190.5（-190.4）DBC / HZ。第三，该芯片提出后的应力特性的双频带电压控制振荡器（VCO）。所设计的电路包括一个双谐振LC谐振器的Co​​lpitts负阻细胞。双谐振LC谐振器包括一个串联调谐的LC谐振器和一个并联谐振的谐振器。 VCO已经与台积电0.18微米1P6M CMOS技术实现。该VCO可以生成差分信号的频率范围为3.0～3.37GHz和6.95～7.40GHz

10.08mW，10.24mW直流漏极 - 源极偏置电压VDD为1.4V分别与核心功耗。双频段压控振荡器的管芯面积为0.485×0.800平方毫米。该电路在VDD = 3V操作8小时，并在射频参数显着的漂移被发现。第四，该芯片提出一个新的正交压控振荡器（QVCO），，它由两对芯交叉耦合的电压控制振荡器（VCO），使用间接的背栅耦合。拟议的CMOS QVCO与台积电的0.18微米SiGe 3P6M技术和已实施，裸片面积0.480×0.959平方毫米的。在电源电压为0.8V，消耗的总功率是4.4MW的项目。 10小时，重大射频参数漂移，强调该电路在VDD = 3V被发现。 QVCO自由运行频率可

调从5.96 GHz至6.75 GHz的调谐电压范围从0.0V至2V。在1MHz频率偏移的测量相位噪声为-120.5 dBc / Hz的的振荡频率为6.59 GHz和品质因数（FOM）的建议QVCO的身影是-190.4 dBc / Hz的的。