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矽晶圓天然砂的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦宋健民寫的 鑽石爭霸戰(一)－寶石鑽的世紀大戰 可以從中找到所需的評價。
國立中興大學 環境工程學系所 謝永旭所指導 黃育麒的 矽砂洗選製程產出之無機性污泥產製紅磚之可行性研究 （2017），提出矽晶圓天然砂關鍵因素是什麼，來自於無機性污泥、磚、燒結、含水率、抗壓強度。
而第二篇論文國立勤益科技大學 機械工程系 蔡明義所指導 林冠甫的 嵌入式鑽石砂輪研磨盤開發之研究 （2016），提出因為有 單晶碳化矽、以磨代拋、鑽石砂輪碇、嵌入式研磨盤單的重點而找出了 矽晶圓天然砂的解答。
鑽石爭霸戰(一)－寶石鑽的世紀大戰
為了解決矽晶圓天然砂 的問題，作者宋健民 這樣論述：
1969年人類首次脫離地球踏步月球，這是科技進步劃時代的里程碑。在材料學的領域裡，1953年瑞典的ASEA在超高壓下合成出原始的工業鑽石可比擬人類登月的壯舉。1970年代美國的General Electric開始生長克拉級的寶石鑽石。1980年代日本的Sumitomo Electric把鑽石長得更大。1990年代南非的De Beers則長出10克拉以上的鑽石。2000年代美國的Apollo Diamond及Geophysical Labs又以氣相生長出克拉級鑽石。鑽石不僅是寶石之后，更是材料之王。人類科技文明的歸宿將是進入科幻世界的鑽石時代，而其中最超越的產品即為鑽石半導體，它可成為極速電
腦的芯片，死光武器的光源乃至超頻通訊的元件。但要生產鑽石半導體需先有鑽石晶圓，這樣才可在大面積生長降低成本。如何做出矽晶圓大的鑽石晶圓是材料科技的聖杯(Holy Grail)。鑽石為小原子的矽晶，矽晶為大原子的鑽石。鑽石與矽晶的構造相同，兩者性質的極端對比乃反映原子大小的差異。作者在書中建議利用原子排列的製造槓桿，以同為鑽石結構的矽晶圓為模板再漸進長出鑽石的異質磊晶。 另外的方法為以時間換取空間，把晶核長成的鑽石小方塊併成面板，再回鍋高壓生長將之癒合成連續的鑽石基板。本書回溯寶石鑽石的發展歷史及商業手段，最後談及鑽石的合成方法及未來展望。作者願以此書和讀者共享鑽石的純真與絕美，並預期以人之善
良在本世紀創造出完全的文明——鑽石時代。 本書特色 1 . 1996年末宋博士發明革命性的「鑽石陣?」DiaGrid?技術並在全球申請專利，「鑽石陣」技術可使鑽石以特定的圖案排列，因此大幅提高了工具的研磨效率及使用壽命。 2 .1999年宋博士在中砂推出DiaGrid「鑽石碟」就逐漸取代了日本及美國的產品。「鑽石碟」可決定化學機械?光(CMP)的效率及良率，CMP為製造半導體晶片必經的過程，因此DiaGrid?「鑽石碟」可顯著降低半導體的製造成本及提高晶片的品質。 3 . 宋博士不僅獨立申請到國際專利及發展製造技術，他又命名DiaGrid「鑽石碟」並建立了國際品牌，在全書有相關的詳盡介紹
。 4 . 本書有作者蒐集的相關詳細圖片，以說故事的方式敘述現今鑽石的材料特性及應用技術，資料豐富，對於業界參考價值高。 引言林心正序(中國砂輪企業股份有限公司董事長誌謝自序——我愛鑽石鑽石爭霸戰 第一集：寶石鑽的世紀大戰探索鑽石宇宙迎向鑽石時代鑽石為材料之王鑽石為寶石之后擬鑽的差異鑽石的幻覺天然鑽石的成因鑽石的考古學「光之山」的故事藍色的巨鑽南非鑽石的崛起彩色的鑽石天然鑽石的壟斷Oppenheimer的王朝鑽石原石的供應鏈De Beers的壟斷官司鑽石的珠寶大戰GE的人造鑽石寶石鑽石寶石的生長俄國鑽石入侵美國鑽石的鑑定人造鑽石的特徵紀念鑽石氣相合成的鑽石膜透明的鑽石窗氣相合成的鑽石單晶
生長寶石級鑽石的困難寶石級鑽石的大量生產單晶鑽石晶圓鑽石半導體 附錄1 「鑽石底半導體」及「鑽石的半導體」附錄2 Wurtzitic Boron Nitride on Diamond: The Ultimate Epitaxial Wafer for“Semiconductor on Insulator附錄3 鑽石底碳化矽：LED的夢幻基材附錄4 SAW Filter with AlN on Diamond附錄5 鑽氟超滑面與鑽石感測器附錄6 Super-entropic Amorphous Diamond as Thermionic Energy Converters附錄7 The Brig
ht View of DEL附錄8 奈米鑽石的大千世界附錄9 台灣鑽石技術的大躍進附錄10 無晶鑽石的機電與光熱應用附錄11 Diamond Composite Heat Spreader附錄12 Fluorinated DLC for Tribological Applications附錄13 U.S. Patent Nos. 6,874,795 and 7,294,340 有關作者榮獲經濟部第十三屆科技獎的個人成就獎(前瞻技術創新獎)榮獲2006年中華民國微系統暨奈米科技協會最高榮譽——卓越獎榮獲2007年中國材料科學學會——材料科技傑出貢獻獎榮獲2007年中華民國微系統暨奈米科技協會——
微奈米科技工業貢獻獎第七屆台灣工業銀行創業大賽——台政大鑽心隊奪冠 自組2億元公司今周刊(2006.5.29) ——宋健民讓中國砂輪翻身傳產股后鑽石科技的推廣鑽石科技的全球競技綜合目錄第二集：金剛石的世界大戰第三集：鑽石碟的台美大戰
矽砂洗選製程產出之無機性污泥產製紅磚之可行性研究
為了解決矽晶圓天然砂 的問題，作者黃育麒 這樣論述：
本研究係針對矽砂洗選製程所產生之無機性污泥，以燒結資源化技術做為再利用方式，進行無機性污泥做為製磚原料含水率及摻配比之最適條件分析。由矽砂洗選製程所產生之無機性污泥其毒性特性溶出程序(TCLP)及重金屬檢測皆未超過標準，屬於一般事業廢棄物。本研究是利用既設之紅磚製品工廠進行試驗計畫，即在不影響其他既定之產線，並且考慮將依試驗結果進行量產，為降低調整正常紅磚生產設備參數之次數，其相關操作參數如擠壓成型壓力、操作時間、燒成時間、燒成溫度等皆依該廠正常生產操作模式。首先進行無機性污泥之粒徑分析、成分分析後，將無機性污泥與磚用黏土依不同含水率及摻配比進行混拌，在原料經過破碎、研磨、混練、擠壓成型、乾
燥等步驟後，進入燒成窯中進行燒結，產製之紅磚進行中華民國國家標準CNS 382 R2002檢測，分析項目為吸水率及抗壓強度。依試驗結果發現，無機性污泥之成分分析及粒徑分析皆與磚用黏土相似，故可用來取代磚用黏土來製造紅磚。成品吸水率的部分，在無機性污泥摻配率50%，如含水率在30%以下，則成品皆可符合產品規範，但隨著無機性污泥含水率愈高，如摻配比愈高時，其吸水率也隨之提高，甚至不符合產品規範；抗壓強度的部分，各種配比所測得的數據雖沒有呈現線性關係，但經過燒成製程產製之紅磚均可符合產品規範，顯示只要訂定無機性污泥含水率進廠時需小於30%，即可產製合格的產品；另外檢測成品之重金屬含量發現皆未超過標準
，表示其成品在使用時無污染環境之虞。本著將廢棄物變為資源，如能將廢棄物轉變為資源再利用，即可達到減緩天然資源的消耗、增加工廠廢棄物的去化管道、提升生產的量能等功效，並朝向廢棄物零廢棄的目標前進，以求經濟及環保得以永續發展。
嵌入式鑽石砂輪研磨盤開發之研究
為了解決矽晶圓天然砂 的問題，作者林冠甫 這樣論述：
隨著科技日新月異的進步，電子功率元件的體積已經朝著高功率、耐高溫、小體積的趨勢發展，近年來Si功率元件的發展遇到瓶頸，已達到其物理上的極限，而單晶碳化矽(Silicon Carbide)的出現使得功率電子元件發展有突破的可能，其有許多優良之性能，如:寬能隙、高熱導性、高飽和電子漂移速度、高絕緣電場崩潰強度、高化學穩定性、高機械強度等，使得SiC成為下一世代半導體最具潛力之高功率元件，但由於SiC本身之材料硬度在約為莫氏硬度9.2左右，僅次於天然鑽石，其化學惰性使得單晶碳化矽本身非常難以加工，所需之加工成本因此提高，移除率僅有數微米至十微米，也容易因機械作用造成刮痕及次表面損傷層，因此提高移除
率以及全面平坦化之SiC晶圓為業界所追求之趨勢，不僅能夠帶來大量商機，亦可為綠能科技帶來重大進展。 本研究以砂輪研磨的角度來探討SiC去除機制，期望以砂輪磨削的型態提升單晶碳化矽的移除率，也就是本實驗的目標:以磨代拋，目前業界加工單晶碳化矽(SiC)的基礎程序共有四道，從最初的粗拋光、機械拋光(Mechanical Polishing)、二道機械拋光(The second MP)到最後的化學機械拋光(Chemical Mechanical Polishing)，這些程序繁複費時又費工，每一道程序的消耗品也是一大負擔，因此我們觀察砂輪研磨的方式後，希望藉由以磨代拋的方式大幅提升單晶碳化矽的
材料移除率，並且同時達成良好之SiC晶圓表面，以方便進入最後一到化學機械拋光製程(Chemcial Mechanical Polish)；此研究使用酚醛樹脂作為結合劑，以單晶與多晶鑽石作為磨料，而磨料依據表面形貌可以分為耐磨型與銳利型，磨料粒徑大小則分別使用1μm以及6μm之鑽石，接著經過均勻混合之後，將定量之粉末分別秤量倒入壓碇模具中，而後加壓加熱燒結，成形為鑽石砂輪研磨碇；本實驗所設定之砂輪碇基本形狀為扁平狀圓柱體，接著以環氧樹脂對砂輪錠進行黏著結合，再來通以純水並施加之下壓力對進單晶碳化矽行機械拋光，最終之實驗結果為酚醛樹脂多晶鑽石砂輪研磨碇之材料移除率(Material removal
rate)表現最佳，移除率分別為 Si-Face:6.26μm/hr、C-Face:4.72μm/hr，而表面粗糙度表現(Ra)則分別為C-Face:7.547nm、Si-Face:8.06nm，表面粗糙度達到10nm以下。