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輔 大 11B的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦MarshaM.Linehan寫的 DBT®技巧訓練講義及作業單 和呂啟彰、鄭智元的 數位積體電路分析與設計(第三版)都 可以從中找到所需的評價。
這兩本書分別來自張老師文化 和全華圖書所出版 。
國立高雄師範大學 視覺設計學系 姚村雄所指導 鄭丞祐的 建案廣告之圖像研究–以高雄市建案為例 （2021），提出輔 大 11B關鍵因素是什麼，來自於建案廣告、圖像設計、廣告設計。
而第二篇論文南臺科技大學 人文社會學院教育經營碩士班 李金泉所指導 黃怡蓉的 國民小學教師教學困境及教學實踐 對教師工作滿意度之影響 ─以TIMSS 2019臺灣為例 （2021），提出因為有 國民小學教師、教學困境、教學實踐、工作滿意度、TIMSS 2019的重點而找出了 輔 大 11B的解答。
DBT®技巧訓練講義及作業單
為了解決輔 大 11B 的問題，作者MarshaM.Linehan 這樣論述：
本書獻給世界上所有認為沒人會想到他們的病人。 我曾想告訴你，我會為你練習技巧，這樣你就不必練習技巧了； 但後來我意識到，如果我這樣做，你就不能學習如何熟練技巧。 所以，相反地，我希望你善用技巧，希望你能發現這些技巧是有用的。 ――瑪莎．林納涵 本書包含的講義和作業單，提供給希望學習辯證行為治療（Dialectical Behavior Therapy, DBT）技巧的人。 全書有五個主要章節，每章的開始是簡介，摘要介紹講義及其目的和相應的作業單。在第一章通用技巧之後，有四大主要的DBT技巧模組：了了分明技巧、人際效能技巧、情緒調節技巧及痛苦耐受技巧，每一技巧模組都
有相應的講義與作業單，與練習該技巧的說明；每個講義至少都有一個（通常多於一個）相關的作業單，以方便記錄技巧練習。 DBT技巧致力於在改變現狀及接受現狀兩者間尋求融合，教導你如何改變生命中令你痛苦和困擾的行為、情緒、想法與生活事件，同時教導你如何提高復原力、活在當下。
建案廣告之圖像研究–以高雄市建案為例
為了解決輔 大 11B 的問題，作者鄭丞祐 這樣論述：
建案廣告在建案的行銷與推動上，常以傳統的戶外廣告看板架設於大樓牆面，隨著資訊時代進步，更是以網路廣告圖像作為宣傳的方式，廣告正走向數位化的轉型與挑戰，並於資訊平台進行廣告的宣傳；建案銷售廣告比其他一般商品更為重要且深入，廣告圖像的使用就需具說服性的信息來影響購屋者的態度與行動，以及透過視覺傳達的建案特色、公司價值和視覺符號象徵的意涵。本研究旨在探討高雄市建案廣告圖像的設計元素背後的視覺手法與意義，以網路房地王中高雄地產王網站上所登記之新成屋、預售屋建案廣告圖像為主，透過文獻資料與內容分析法統整歸納，再使用卡方檢定法進行關聯性比較分析，藉此整理建商廣告圖像現況發展、視覺形式、訴求價值等
廣告要素，透過研究結果分析進而提出建案廣告設計圖像使用之參考原則與建議。經由本研究的分析得知，建案廣告之圖像設計風格為以下幾點特色：1. 建案廣告圖像與價格、地區不具直接關聯性影響，廣告圖像以宣傳為目的，表現其廣告訴求。2. 建案廣告圖像常以概念修辭中「示現」及「象徵」表現建案實體與價值。3. 建案廣告圖像多半使用自然元素中的「草葉圖像」表達理性訴求中的「園林主題」之建案賣點特色。
數位積體電路分析與設計(第三版)
為了解決輔 大 11B 的問題，作者呂啟彰、鄭智元 這樣論述：
本書內容條理分明，淺顯易懂，並搭配習題，加強學習效果。包括深次微米數位積體電路設計，簡要回顧本書基礎邏輯閘的重要概念，利用基本的元件物理概念來導入，在第三章裡描述在積體電路設計過程中製造、佈局和模擬間的關係，第四章對MOS反相器導出雜訊容限和切換臨界值的分佈公式，在第五、六章討論NAND、NOR等邏輯閘靜態設計問題及高速設計所涉及問題。第七、八章研究傳輸閘和動態邏輯設計及半導體記憶體設計。九至十一章討論記憶體設計中的其他問題，介紹連線設計及電源網路和時脈設計。藉由本書完整歸納，使讀者對數位積體電路有進一步了解，本書適合私立大學、科大資工、電子、電機系「數位積體電路設計」課程使用。 第1
章 深次微米數位積體電路設計1.1 緒論 1-11.2 積體電路產業的簡要歷史 1-31.3 數位邏輯閘設計的回顧 1-71.3.1 基本的邏輯函數 1-71.3.2 邏輯電路的實作 1-101.3.3 雜訊容限的定義 1-121.3.4 暫態特性的定義 1-131.3.5 功率消耗估算 1-141.4 數位積體電路設計 1-161.4.1 MOS電晶體的結構和工作原理 1-171.4.2 CMOS與NMOS 1-181.4.3 深次微米互連 1-201.5 數位電路的電腦輔助設計 1-241.5.1 電路模擬和分析 1-251.6 面臨的挑戰 1-271.7 小結 1-321.8 參考文獻
1-321.9 習題 1-33 第2章 MOS電晶體2.1 緒論 2-12.2 MOS電晶體的結構和操作 2-32.3 MOS電晶體的臨限電壓 2-72.4 一次電流-電壓特性 2-182.5 速度飽和公式的來源 2-222.5.1 高電場的影響 2-242.5.2 速度飽和元件的電流公式 2-272.6 功率定律模型 2-322.7 次臨界傳導 2-342.8 MOS電晶體的電容 2-362.8.1 薄氧化物電容 2-372.8.2 PN接面電容 2-392.8.3 重疊電容 2-452.9 小結 2-462.10 參考文獻 2-492.11 習題 2-49 第3章 製造、佈局和模擬3.1
緒論 3-13.2 IC製造技術 3-23.2.1 IC製造技術概述 3-23.2.2 IC光蝕刻技術 3-43.2.3 電晶體的製造 3-63.2.4 製造連線 3-93.2.5 連線電容和電阻 3-123.3 佈局基礎 3-153.4 電路模擬中MOS電晶體的模型構造 3-183.4.1 SPICE中的MOS模型 3-193.4.2 MOS電晶體的具體說明 3-203.5 SPICEMOSLEVEL1元件模型 3-223.5.1 MOSLEVEL1參數的提取 3-243.6 BSIM3模型 3-273.6.1 BSIM3中的載入過程 3-273.6.2 短通道臨限電壓 3-283.6.3
遷移率模型 3-313.6.4 線性區和飽和區 3-313.6.5 次臨界電流 3-343.6.6 電容模型 3-353.6.7 源極/汲極電阻 3-363.7 MOS電晶體中的附加效應 3-373.7.1 產品中的參數變化 3-373.7.2 溫度效應 3-373.7.3 電源變化 3-393.7.4 電壓極限 3-403.7.5 CMOS閂鎖 3-403.8 絕緣體上的矽製程 3-423.9 SPICE模型小結 3-443.10 參考文獻 3-513.11 習題 3-51 第4章 MOS反相器電路4.1 緒論 4-14.2 電壓轉換特性 4-24.3 雜訊容限的定義 4-54.3.1 單源
雜訊容限（SSNM） 4-54.3.2 多源雜訊容限（MSNM） 4-84.4 電阻負載反相器的設計 4-114.5 NMOS電晶體作為負載元件 4-204.5.1 飽和增強型負載 4-204.5.2 線性增強型負載 4-254.6 互補MOS（CMOS）反相器 4-264.6.1 CMOS反相器的直流分析 4-274.6.2 CMOS反相器的佈局設計 4-354.7 虛NMOS反相器 4-374.8 反相器的尺寸確定 4-404.9 三態反相器 4-434.10 小結 4-444.11 參考文獻 4-454.12 習題 4-46 第5章 靜態MOS邏輯閘電路5.1 緒論 5-15.2 CMO
S邏輯閘電路 5-35.2.1 基本的CMOS邏輯閘的尺寸確定 5-45.2.2 扇入和扇出研究 5-85.2.3 CMOS邏輯閘的電壓傳輸特性 5-115.3 複雜的CMOS邏輯閘 5-165.4 互斥或閘和互斥反或閘 5-195.5 多工器電路 5-205.6 正反器和閂鎖器 5-215.6.1 基本的雙穩態電路 5-225.6.2 SR閂鎖器 5-235.6.3 JK正反器 5-265.6.4 主從JK正反器 5-275.6.5 邊緣觸發的JK正反器 5-285.7 D正反器和D閂鎖器 5-305.8 CMOS邏輯閘電路的功率消耗 5-335.8.1 動態（轉換）功率消耗 5-345.8
.2 靜態（待機）功率消耗 5-415.8.3 完整的功率消耗公式 5-435.9 功率消耗和延遲的折衷 5-445.10 小結 5-475.11 參考文獻 5-485.12 習題 5-49 第6章 高速CMOS邏輯設計6.1 緒論 6-16.2 切換時間的分析 6-36.2.1 再次討論邏輯閘的尺寸——速度飽和效應 6-76.3 負載電容的詳細計算 6-96.3.1 邏輯閘扇出電容 6-106.3.2 本身電容計算 6-126.3.3 連線電容 6-186.4 斜波輸入情況下改善延遲計算 6-196.5 針對最佳路徑延遲確定邏輯閘的尺寸 6-276.5.1 最佳延遲問題 6-276.5.2
反相器鏈延遲最佳化——FO4延遲 6-296.5.3 包含反及閘和反或閘的路徑最佳化 6-356.6 用邏輯強度最佳化路徑 6-386.6.1 邏輯強度的導出 6-386.6.2 理解邏輯強度 6-446.6.3 分支強度和旁路負載 6-486.7 小結 6-526.8 參考文獻 6-546.9 習題 6-55 第7章 傳輸閘和動態邏輯設計7.1 緒論 7-17.2 基本概念 7-27.2.1 傳導電晶體 7-27.2.2 電容饋入 7-57.2.3 電荷共用 7-87.2.4 電荷遺失的其他途徑 7-107.3 CMOS傳輸閘邏輯 7-117.3.1 使用CMOS傳輸閘的多工器 7-127.
3.2 CMOS傳輸閘延遲 7-177.3.3 CMOS傳輸閘的邏輯強度 7-237.4 動態D閂鎖器和D正反器 7-247.5 骨牌邏輯 7-277.5.1 骨牌邏輯閘的邏輯強度 7-337.5.2 骨牌邏輯的局限性 7-347.5.3 雙軌（差分）骨牌邏輯 7-377.5.4 自我重置電路 7-407.6 小結 7-407.7 參考文獻 7-417.8 習題 7-41 第8章 半導體記憶體的設計8.1 緒論 8-18.1.1 記憶體的結構 8-28.1.2 記憶體的類型 8-48.1.3 記憶體的時間參數 8-58.2 MOS解碼器 8-68.3 靜態RAM單元設計 8-108.3.1 靜
態記憶體操作 8-108.3.2 讀取的操作 8-138.3.3 寫入的操作 8-168.3.4 SRAM單元的佈局 8-178.4 SRAM行I/O電路 8-198.4.1 行上拉電路 8-198.4.2 行選擇 8-218.4.3 寫入的電路 8-248.4.4 讀取的電路 8-248.5 記憶體體系結構 8-318.6 小結 8-348.7 參考文獻 8-348.8 習題 8-34 第9章 記憶體設計中的其他課題9.1 緒論 9-19.2 內容定址記憶體 9-39.3 現場可程式邏輯閘陣列 9-99.4 動態讀/寫記憶體 9-159.4.1 三電晶體動態單元 9-169.4.2 單電晶體
動態單元 9-179.4.3 動態RAM的外部特性 9-219.5 唯讀記憶體 9-239.5.1 MOSROM單元陣列 9-239.6 EPROM和E2PROM 9-279.7 Flash記憶體 9-339.8 FRAM 9-369.9 小結 9-379.10 參考文獻 9-389.11 習題 9-38 第10章 連線設計10.1 緒論 10-110.2 連線的RC延遲 10-410.2.1 導線電阻 10-410.2.2 艾蒙延遲的計算 10-610.2.3 長導線的RC延遲 10-910.3 超長導線插入緩衝器 10-1410.4 連線的耦合電容 10-1810.4.1 耦合電容的構成
10-1810.4.2 耦合對延遲的影響 10-2310.4.3 電容雜訊或串音 10-2710.5 連線的電感 10-2810.6 天線效應 10-3410.7 小結 10-3710.8 參考文獻 10-3910.9 習題 10-39 第11章 電源網格和時脈設計11.1 緒論 11-111.2 電源分佈設計 11-211.2.1 IR壓降和Ldi/dt 11-311.2.2 電子遷移 11-611.2.3 電源佈線要考慮的問題 11-811.2.4 去耦合電容設計 11-1111.2.5 電源分佈設計舉例 11-1311.3 時脈和時序問題 11-1611.3.1 時脈定義和量度 11-1
611.3.2 時脈偏斜 11-1911.3.3 雜訊對時脈和正反器的影響 11-2111.3.4 時脈的功率消耗 11-2211.3.5 時脈產生器 11-2311.3.6 高性能設計中的時脈分佈 11-2511.3.7 時脈分佈網路舉例 11-2711.4 鎖相迴路/延遲鎖定迴路 11-3011.4.1 PLL設計考慮 11-3211.4.2 時脈分佈總結 11-3711.5 參考文獻 11-3911.6 習題 11-39 附錄A SPICE的簡要介紹A.1 緒論 A-1A.2 設計流程 A-2A.3 語法 A-2A.3.1 標題 A-4A.3.2 各種全局參數的設置 A-4A.3.3 電
源、主動元件和被動元件的列表 A-6A.3.4 分析宣告 A-14A.4 完整的SPICE範例 A-18 附錄B 雙極接面電晶體和電路B.1 雙極接面電晶體 B-1B.2 肖特基障壁電勢二極體 B-4B.3 用於電路模擬的BJT模型 B-6B.4 雙極接面電晶體反相器 B-7B.5 電壓傳輸特性 B-8B.6 肖特基箝位反相器 B-10B.7 BJT反相器的開關時間 B-11B.8 雙極數位邏輯閘電路 B-12B.9 電壓傳輸特性 B-14B.10 傳輸延遲時間 B-15B.11 輸入箝位二極體 B-16B.12 參考文獻 B-16
國民小學教師教學困境及教學實踐 對教師工作滿意度之影響 ─以TIMSS 2019臺灣為例
為了解決輔 大 11B 的問題，作者黃怡蓉 這樣論述：
本研究採用TIMSS 2019國際數學與科學教育成就趨勢調查之臺灣數據進行次級資料分析，探討國民小學教師之教學困境、教學實踐與工作滿意度的關聯性。研究樣本為臺灣參與TIMSS 2019 的393位國民小學教師，以統計軟體SPSS 23.0 進行量化統計，分析結果如下：一、國民小學教師在「教學困境」中以「我需要更多的時間來協助個別的學生」為最高；「教學實踐」中以「鼓勵學生發表意見」為最高；「工作滿意度」中以「我樂於以教師為業」及「我覺得我的工作充滿意義與目的」為最高。二、「最高學歷碩士畢業」、「年齡40歲至49歲」及「任教數學」之國民小學教師所遭遇教學困境顯著較高；「最高學歷大學畢業」之國民小
學教師其教學實踐顯著較低；「任教數學」之國民小學教師其工作滿意度顯著較低。三、國民小學教師「教學困境」與「工作滿意度」具有顯著負相關；國民小學教師「教學實踐」與「工作滿意度」具有顯著正相關。四、國民小學教師之「教學困境」在「教學實踐」與「工作滿意度」之間具有調節效果，其教學實踐低且教學困境高時，工作滿意度達顯著較低。