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國立中山大學 電機工程學系研究所 王朝欽所指導 蘇文健的 具迴轉率與責任週期自動調整之FinFET製程多重電壓輸出緩衝器與電晶體漏電流偵測器設計 （2021），提出3.6 m 夾層關鍵因素是什麼，來自於DDR4、FinFET、電壓迴轉率、輸出緩衝器、漏電流偵測器。
而第二篇論文國立臺北科技大學 土木工程系土木與防災碩士班 林利國、林正平所指導 黃韋杰的 臺北車站智能化聯合防災中心之防救災關鍵影響指標研究 （2020），提出因為有 臺北車站智能化聯合防災中心、防救災管理、關鍵影響指標、模糊德爾菲的重點而找出了 3.6 m 夾層的解答。
核輻射探測器
為了解決3.6 m 夾層 的問題，作者丁洪林 編著 這樣論述：
本書是編著者在幾十年半導體輻射探測器的研究開發和給研究生講授核輻射探測器的基礎上編寫成的。本書首先介紹了核輻射探測器的發展和近十幾年來的新進展，介紹了輻射源、射線與物質相互作用等基礎知識；重點介紹了核輻射探測器的工作原理、工藝原理和工藝、探測器特性、結構及其應用；然後介紹了核輻射探測器在實驗核物理、粒子物理、堆物理中的應用，能量測量和在不同能量範圍如何正確選擇和使用核輻射探測器；以及在核輻射強度和輻射劑量測量中的應用，陣列探測器構成的核成像探測器及其應用，脈沖輻射探測器和脈沖輻射的探測，核輻射探測器在工業自動化控制、核燃耗測量、核保障和對特殊核素監控中的應用，在x射線熒光分析、環保生態學中的應
用，在探測空間輻射、空間物理、天體物理研究中的應用，以及在核廢物處理和核醫學中的應用等。 本書主要作為與核相關的研究生的教材，也可作為核物理和有關放射性測量等專業的學生學習和參考，也可供從事相關專業的科研、生產、應用的工程技術人員閱讀。 第1章 緒論 1.1 核探測技術在核科學研究、核試驗測試、核技術應用中的作用與地位 1.2 核輻射探測器的發展及其應用簡介 第2章 核輻射和核輻射探測的原理和方法 2.1 核輻射的基本性質 2.2 探測帶電粒子的物理基礎及常用的帶電粒子探測器 2.3 X，y射線的探測原理及常用的核輻射探測器 2.4 中子的探測方法 第3章 氣體
探測器 3.1 氣體探測器的原理 3.2 電離室 3.3 電流電離室和累計電離室 3.4 正比計數管及其應用 3.5 G-M計數管 3.6 氣體多絲正比室和漂移室 3.7 高氣壓電離室和高氣壓氙電離室 第4章 閃爍探測器 4.1 閃爍探測器的構成和工作原理 4.2 閃爍體 4.3 閃爍體的特性參數 4.4 無機閃爍體的種類和它的物理參數 4.5 常用的有機閃爍體 4.6 閃爍體的選擇 4.7 光學收集系統 4.8 閃爍探測器的工作特性 4.9 閃爍探測器的坪特性 4.10 閃爍體探測器的應用 第5章 半導體探測器 5.1 半導體的基礎知識 5.2 本征半導體 5.3 N型半導體和P型半導體 5
.4 載流子 5.5 半導體探測器對半導體材料的要求和它的基本工作原理 5.6 用于制備核輻射探測器的 、鍺和化合物半導體材料 5.7 半導體探測器的工作原理、制備工藝 5.8 半導體探測器的結構和基本類型 第6章 探測器 6.1 核輻射探測器的種類 6.2 P—N結的形成 6.3 半導體探測器的各種特性參數 6.4 核輻射探測特性參數 第7章 鋰漂移探測器 7.1 鋰漂移探測器I0區(靈敏區)的形成(補償區的制備) 7.2 鋰漂移探測器的分類 7.3 鋰漂移探測器的特性參數 7.4 半導體x射線探測器的選擇及其性能和特點 7.5 x射線能譜測量和數據圖表 7.6 鋰漂移x射線譜儀
的應用 第8章 特殊類型的半導體探測器 8.1 全耗盡探測器 8.2 位置靈敏探測器 8.3 漂移室SDC和電荷耦合探測器(CCD) 8.4 內放大探測器(或雪崩倍增放大器) 8.5 P—I—N電流型探測器 8.6 夾心(夾層)型半導體中子探測器 8.7 勻質體電導型——無結型器件 8.8 MOS—C探測器 8.9 高分辨率網柵型Au-si表面勢壘探測器 8.10 光電導探測器和光電二極管探測器 8.11 環形金 面壘探測器 第9章 高純鍺探測器 9.1 HPGe探測器的結構 9.2 HPGe探測器的電場和電容 9.3 HWGe探測器靈敏區和死層 9.4 HPGe探測器的能量分辨率 9.5
HPGe探測器的探測效率 9.6 峰面積、頻譜本底、譜峰極大值和峰康比 9.7 鍺探測器的時間特性 9.8 輻射損傷 9.9 鍺射線探測器的應用 9.10 鍺y射線探測器測試方法 第10章 化合物半導體探測器 10.1 概述 10.2 砷化鎵(GaAs)核輻射探測器 10.3 碲化鎘(CdTe)核輻射探測器 10.4 碲鋅鎘核輻射探測器 10.5 碘化汞(Hgl2)核輻射探測器 第11章 低溫量熱和超導體核輻射探測器 11.1 低溫量熱核輻射探測器 11.2 低溫超導體核輻射探測器 11.3 超導體和低溫量熱核輻射探測器的應用 11.4 展望 第12章 其他核輻射探測器 12.1 切倫科夫探測
器 12.2 熱釋光探測器 12.3 徑跡探測器 12.4 康普頓二極管 12.5 自給能探測器 12.6 液體電離室 12.7 氣體正比閃爍探測器 12.8 穿越輻射探測器 第13章 探測器的本底和屏蔽 13.1 本底來源 13.2 降低本底的方法 第14章 核輻射探測器的應用 14.1 概述 14.2 實驗核物理中用于粒子鑒別的核輻射探測器 14.3 核輻射探測器在反應堆(核電站)上的應用 14.4 核輻射探測器在核能譜(核輻射能量)測量中的應用 14.5 探測和測量脈沖輻射束的探測器 14.6 核輻射探測器在核輻射強度和輻射劑量測量中的應用 14.7 核輻射探測器在核成像和其他研究領域中
的應用 14.8 探測器在核保障、核材料生產、加工處理中的監測和核電站燃料燃耗的測量 14.9 x射線熒光分析用核輻射探測器和x射線熒光分析的應用 14.10 核輻射探測器在宇宙空間天體物理領域的應用 14.11 核輻射探測器在核醫學和臨床醫學中的應用 附錄 參考文獻
具迴轉率與責任週期自動調整之FinFET製程多重電壓輸出緩衝器與電晶體漏電流偵測器設計
為了解決3.6 m 夾層 的問題，作者蘇文健 這樣論述：
隨著製程的進步，傳輸訊號的速度也隨之增加，但越先進製程其漏電流越大，訊號的品質也越容易受環境影響，因此各種傳輸規格對於訊號品質的要求也越加重視。故本論文針對環境及漏電流對訊號品質的影響，提出兩個設計，分別為具有迴轉率與責任週期自動調整之FinFET製程多重電壓輸出緩衝器以及單一電晶體漏電流偵測器設計。本論文第一題目為具迴轉率與責任週期自動調整之FinFET製程多重電壓輸出緩衝器，且為符合16 nm FinFET製程之系統電壓(0.8 V)與DDR4介面規格的輸出電壓要求(1.2 V)，輸出級的電路由堆疊式電晶體組成，並使用臨界電壓較低的電晶體，避免高電位差產生的閘極氧化層過壓、漏電流路徑等問
題。另外，為降低因製程環境改變而產生的電壓迴轉率變異，增加一PVT偵測器，可根據製程環境變異控制輸出級之電流量，使電壓迴轉率保持穩定。本論文第二題目提出一電晶體漏電流偵測器設計，因現有文獻中的漏電流偵測大多是針對一獨有電路的漏電流進行補償，沒有明確的漏電流大小，且鮮少有可廣泛應用於不同電路的設計。而本設計可應用於不同電路及製程中，並能準確偵測出電晶體漏電流大小的數值。本設計主要針對一P/N型電晶體漏電流進行偵測，並加入閃控脈波產生器作為偵測啟動開關，使偵測時間的長度固定且規範化，增加偵測結果的可信度。
臺北車站智能化聯合防災中心之防救災關鍵影響指標研究
為了解決3.6 m 夾層 的問題，作者黃韋杰 這樣論述：
本研究針對臺北車站特定區之防救災模式為研究範圍，並以2019年8月24日竣工之臺北車站特定區智能化聯合防災中心為研究對象。首先蒐集國內、外車站防災中心相關文獻資料及車站災害案例進行探討及研析，並透過專家學者深入訪談，以綜整出四個影響面向及三十五個評估因子，進而設計調查問卷，擬訂聯合防災中心應有之防救災重要影響面向及相關評估因子，並以實地勘查方式調查臺北車站特定區環境及智能化聯合防災中心運作情形，問卷統計以模糊德爾菲法最大值-最小值(Max-Min)模式分析結果發現，在位置、設備、設計及管理四面向中，以設備及管理面向之重要程度值(m=8.5)最高、設計(m=7.5)為次之，最後為位置(m=7)
；再進一步探討設備及管理面向之統計數據，可發現最為關鍵之指標為「管理」面向。研究成果顯示政府未來對於複合式用途共構車站發展聯合防災中心之最優先策略應為管理制度之建立，整體包括(1)防災中心值勤人員之災害應變訓練及管理、(2)擬定各項災時緊急應變計畫、標準作業程序及持續營運計畫維持防災中心正常運作、(3)內外部各單位間之溝通協調機制，並可結合人工智慧(AI)、5G科技及導入物聯網(IOT)之概念管理。