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以原子層沉積技術和矽穿孔技術製作室溫二氧化鈦薄膜氣體感測器

為了解決半導體製程設備pdf的問題，作者王品翔 這樣論述：

摘 要 IVABSTRACT V誌謝 VI目錄 VII圖目錄 X表目錄 XIII第一章、緒論 11.1前言 11.2工業污染的影響 21.2.1空氣汙染 21.2.2疾病介紹 31.3常見的氣體感測器介紹 41.3.1觸媒燃燒式氣體感測器 41.3.2電化學式氣體感測器 51.3.3固態電解質氣體感測器 51.3.4紅外線式氣體感測器 61.3.5半導體式氣體感測器 71.4研究動機及目的 8第二章、基礎理論與文獻探討 102.1二氧化鈦 102.1.1材料特性 102.1.2 TiO2 P型半導體參考文獻 112.2半導體式氣體感測器工作原理

122.3 氨氣氣體特性 132.4一氧化氮氣體特性 142.5氨氣氣體(NH3)感測的研究與演化 152.6氨氣參考文獻 152.7 一氧化氮氣體(NO)感測的研究與演化 162.8 一氧化氮參考文獻 172.9 原子層沉積原理 172.10 矽穿孔原理 18第三章、實驗方法 203.1 元件結構 203.2 感測器製程步驟 213.3 製程設備與分析儀器 233.3.1製程設備 233.3.2分析儀器 253.4 半導體式氣體感測器之連接方式 273.4.1 PCB板 273.4.2 IC測試夾 283.5半導體式氣體感測器之量測系統 29第四章、結

果與討論 304.1 SEM分析 304.2 FIB分析 304.3二氧化鈦之XRD分析 324.4 二氧化鈦之Raman分析 334.5 二氧化鈦之PL分析 354.6 二氧化鈦之霍爾量測分析 374.7 孔洞之光學顯微鏡(OM)分析 394.8 氣體感測器之連接方式進行室溫量測 404.8.1 PCB板 404.8.2 IC夾 414.9 二氧化鈦氣體感測器在室溫下對氨氣氣體之響應 424.9.1 平面二氧化鈦薄膜 424.9.2二氧化鈦氣體感測器 424.9.3感測機制 434.9.4濕度之探討 444.10二氧化鈦氣體感測器在室溫下對一氧化氮氣體之響應

454.10.1 平面二氧化鈦薄膜 454.10.2二氧化鈦氣體感測器 464.10.3感測機制 474.11二氧化鈦氣體感測器在室溫下進行不同氣體量測 48第五章、結論與未來展望 505.1結論 505.2未來展望 51參考文獻 52

常壓電漿噴射束製備銀銅合金薄膜之研究

為了解決半導體製程設備pdf的問題，作者蔡志旻 這樣論述：

化學氣相沉積(Chemical vapor deposition，CVD)，為現在半導體製程薄膜階段主要方式，原因為優良的覆蓋率與可控制薄膜厚度，真空鍍膜的技術發展至今已經相當成熟，而本實驗將使用常壓電漿噴射束來替代傳統的真空電漿，且相較於傳統真空電漿，目前常壓電漿仍有許多可發展性。本實驗將利用氬氣與氫氣混合氣做為主要氣體，氬氣作為次要氣體，並且固定頻率、功率、速度、次數與距離等條件，將改變溶液濃度0.05M與0.1M以及5種不同比例分別為純銀、10%Cu90%Ag、50%Cu50%Ag、90%Cu10%Ag、純銅，在實驗開始時會先使用熱電偶溫度感測儀來量測電漿溫度以便挑選工作距離，接下來使

用光學放射光譜儀(OES)蒐集電漿鍍膜過程所產生出的物種以及自由基，再以場發射掃描式電子顯微鏡(SEM)對觀察表面沉積以及剖面觀測薄膜厚度並且搭配Mapping來更加方便觀測，再使用X光繞射儀(XRD)來檢測表面物種，以及使用X射線螢光光譜儀(XRF)來檢測表面物種比例，最後使用四點探針檢測表面電性，根據本實驗結果可得XRD時銀的峰值明顯偏右，為置換式固融銀的FCC與銅做結合變成類似NaCl的結構，應此氧化銅比例下降，在電性上可以量測到薄膜的電阻，與純銅電阻相差不遠，固本次使用常壓電漿束可成功製成具有良好導電性薄膜。