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國立高雄應用科技大學 化學工程系碩士班 何宗漢所指導 蔡坤成的 應用於TFT-LCD之素玻璃拋光用研磨墊之性質研究 (2012),提出鑽石碟 再生晶圓關鍵因素是什麼,來自於化學機械研磨、研磨墊、溝槽、玻璃、移除率。

而第二篇論文國立勤益科技大學 工業工程與管理系 張嘉寶所指導 郭永菁的 應用六標準差改善再生矽晶圓粗拋光製程參數最佳化之研究 (2010),提出因為有 六標準差、再生矽晶圓、拋光製程、田口實驗方法的重點而找出了 鑽石碟 再生晶圓的解答。

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接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了鑽石碟 再生晶圓,大家也想知道這些:

智慧製造轉型指引手冊

為了解決鑽石碟 再生晶圓的問題,作者財團法人中國生產力中心 這樣論述:

  本中心所推動的智慧製造發展方案,首重在企業現有問題的解決,以經營管理為主軸,找出企業現有的痛點,以精實管理(Lean Production)為基礎,使產線流程穩定與順暢,再運用IoT、SCADA、BI、Big Data、AOI、AI等ICT技術於製造活動端,逐步優化產線,達成智慧製造的最終目標,創造出企業最大的營運效益。     一、自我檢視數位轉型與智慧製造程度   二、確實掌握實現智慧製造的方法   三、漸進式推動導入重點與關鍵步驟   各界專家強力推薦     臺灣機械工業同業公會常務理事、中國砂輪企業股份有限公司副董事長 白文亮   流亞科技股份有限公司董事長 陳暐仁   國立

臺北科技大學工業工程與管理系教授 陳凱瀛

應用於TFT-LCD之素玻璃拋光用研磨墊之性質研究

為了解決鑽石碟 再生晶圓的問題,作者蔡坤成 這樣論述:

隨著平面顯示器的廣泛應用,輕薄短小的玻璃成為關鍵技術,而化學機械研磨對玻璃減薄也就越顯重要。在化學機械研磨中,為了增加玻璃拋光的移除率,常在研磨墊結構中加入研磨粉,不同粒徑的研磨粉在加入研磨墊結構後,是否會因為研磨粉的分散均勻度,進而造成整體研磨墊結構上的穩定性變異,包含物性上的變異和拋光環境上(酸、鹼、熱)的安定性都是值得討論的課題。此外,常有對研磨墊做表面溝槽的設計,而溝槽結構的設計如何達到玻璃拋光移除的最佳化條件是相當重要的事情。 本論文主要探討三個部份。第一部分為探討研磨墊結構中加入不同粒徑研磨粉,其在物性上以及分散均勻性上的影響。第二部份為探討研磨墊與背膠層複合後的黏

著強度,隨著拋光環境不同(溫度、pH值)下,其不同背膠層的層間對外在環境的差異度。第三部份為探討在固定溝槽深度及溝槽寬度下,不同開溝率的研磨墊對玻璃拋光移除率之影響。 根據實驗結果顯示,當研磨墊內所添加的研磨粉粒徑<1.30μm時會有明顯分散不均的現象,以粒徑1.56μm添加則可有效改善分散不均以及解決循環管路內的濾網堵塞狀況,研磨墊物性主要受環境溫度之影響和添加粒徑的大小無關。當溝槽的開溝率為20.0%時,其移除率為最高值(6.25μm/30min),並有著良好的均勻性(2μm)和較低的拋光加工溫度。

應用六標準差改善再生矽晶圓粗拋光製程參數最佳化之研究

為了解決鑽石碟 再生晶圓的問題,作者郭永菁 這樣論述:

六標準差手法主要是運用品管與統計方法改善產品品質,減少不良品的成本與浪費。本研究主旨即在運用六標準差手法並以DMAIC五個步驟,定義(Define)、衡量(Measure)、分析(Analyze)、改善(Improve)和控制(Control),有系統的針對再生矽晶圓拋光製程深入分析,在低成本且快速的原則下,找到影響製程能力的關鍵因素與最佳組合水準,並結合田口品質工程的參數設計方法,由個案公司製程之實證研究,獲得改善再生矽晶圓拋光製程能力之模式,從現有的拋光製程參數中,針對主製程段的盤頭下壓壓力、拋光液流量、盤面轉速與盤頭轉速,設計一個四因子三水準的實驗進行實證研究。本研究亦考量拋光製程中各

參數條件對於拋光結果的關聯性,分析各拋光因子對於拋光製程後的移除率(MRR)與晶圓厚度變異(TTV)的影響,以求得最佳參數進而提升拋光製程品質。